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PHD108NQ03LT,118
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
75A Tc
5V 10V
1
187W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1375pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75A
漏极-源极导通最大电阻
0.0075Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
DS 击穿电压-最小值
25V
雪崩能量等级(Eas)
180 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PHD108NQ03LT,118 PDF数据手册
- 数据表 :