![PMDPB58UPE,115](https://static.esinoelec.com/200dimg/nexperiausainc-pbsm5240pf115-9393.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
41 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
515mW
引脚数量
6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
67m Ω @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
804pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 4.5V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
3.6A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大双电源电压
-20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14.4A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMDPB58UPE,115 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :