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PMDPB58UPE,115

型号:

PMDPB58UPE,115

封装:

6-UDFN Exposed Pad

数据表:

PMDPB58UPE

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-UDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 41 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    515mW

  • 引脚数量

    6

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    7 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    67m Ω @ 2A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    950mV @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    804pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    9.5nC @ 4.5V

  • 上升时间

    15ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    14 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.6A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大双电源电压

    -20V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    14.4A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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