![BSS84AKV,115](https://static.esinoelec.com/200dimg/nexperiausainc-pesd5v0u5bv115-4922.jpg)
BSS84AKV,115
SOT-563, SOT-666
BSS84AKV Series 50 V 7.5 Ohm 170 mA Dual P-Channel Trench MOSFET - SOT-666
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
48 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大功率耗散
500mW
终端形式
FLAT
引脚数量
6
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
330mW
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
36pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.35nC @ 5V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
50V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
170mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-50V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.17A
漏极-源极导通最大电阻
8.5Ohm
漏源击穿电压
-50V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
BSS84AKV,115 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :