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BSS84AKV,115

型号:

BSS84AKV,115

封装:

SOT-563, SOT-666

数据表:

BSS84AKV

描述:

BSS84AKV Series 50 V 7.5 Ohm 170 mA Dual P-Channel Trench MOSFET - SOT-666

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 48 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 最大功率耗散

    500mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 引脚数量

    6

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    330mW

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5 Ω @ 100mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    36pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.35nC @ 5V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    50V

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    170mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    -50V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.17A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    8.5Ohm

  • 漏源击穿电压

    -50V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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