![2N7002BKV,115](https://static.esinoelec.com/200dimg/nexperiausainc-pesd5v0u5bv115-4922.jpg)
2N7002BKV,115
SOT-563, SOT-666
2N7002BKV Series Dual N-Channel 60 V 1.6 Ohm 350 mW 0.6nC TrenchMOS FET - SOT666
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2
12 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.6Ohm
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大功率耗散
350mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
525mW
接通延迟时间
5 ns
功率 - 最大
350mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6nC @ 4.5V
上升时间
6ns
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
340mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.34A
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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2N7002BKV,115 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :