工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

Chassis Mount

包装/外壳

SP4

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

4

87 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

14

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN SILVER COPPER

附加功能

AVALANCHE RATED

最大功率耗散

357W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

14

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

357W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

123nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

500V

下降时间（典型值）

77 ns

连续放电电流(ID)

46A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant