工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

Chassis Mount

包装/外壳

SP6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

4

160 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 7®

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN SILVER COPPER

附加功能

AVALANCHE RATED

最大功率耗散

780W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X12

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

780W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

348m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

374nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

34A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

DS 击穿电压-最小值

1200V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant