工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

Chassis Mount

包装/外壳

SP3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

2

283 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

25

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN SILVER COPPER

附加功能

AVALANCHE RATED

最大功率耗散

416W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

25

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

416W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 72A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 5.4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

518nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

600V

下降时间（典型值）

84 ns

连续放电电流(ID)

72A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

1800 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant