工厂交货时间

26 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-247-3 Variant

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

67A Tc

10V

1

694W Tc

29 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1997

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

TIN SILVER COPPER

电压 - 额定直流

500V

端子位置

SINGLE

额定电流

67A

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

694W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 33.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7010pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

141nC @ 10V

上升时间

28ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

67A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

268A

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant

无铅

Lead Free