![APT56M50B2](https://static.esinoelec.com/200dimg/microsemicorporation-apt40gp90b2dq2g-4444.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3 Variant
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
56A Tc
10V
1
780W Tc
100 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
PURE MATTE TIN
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
500V
端子位置
SINGLE
额定电流
56A
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
780W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
38 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 28A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
220nC @ 10V
上升时间
45ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
56A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
高度
5.31mm
长度
21.46mm
宽度
16.26mm
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxPart Status
-
APT56M50B2
Through Hole
TO-247-3 Variant
56 A
56A (Tc)
30 V
780 W
780W (Tc)
Active
-
Through Hole
TO-247-3
54 A
54A (Tc)
30 V
-
481W (Tc)
Active
-
Through Hole
TO-274AA
47 A
47A (Tc)
30 V
540 W
540W (Tc)
Active
-
Through Hole
TO-274AA
46 A
46A (Tc)
30 V
450 W
540W (Tc)
Active
APT56M50B2 PDF数据手册
- 数据表 :