![STY60NM60](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-stps80l60cy-0712.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
10V
1
560W Tc
55 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
额定电流
60A
基本部件号
STY60N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
560W
接通延迟时间
55 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
55m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
266nC @ 10V
上升时间
95ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
76 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.055Ohm
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
高度
20.3mm
长度
5.9mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STY60NM60
Through Hole
TO-247-3
60 A
60A (Tc)
4 V
30 V
560 W
560W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
76 A
76A (Tc)
-
20 V
595 W
595W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
47 A
47A (Tc)
4 V
30 V
-
379W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
66 A
66A (Tc)
-
-
-
446W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
73 A
73A (Tc)
2 V
20 V
520 W
520W (Tc)
STY60NM60 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :