表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Details

N-Channel

20 A

260 V

- 65 C

+ 150 C

8 mS

648 W

1

40 V

3.6 V

1.292085 oz

FLANGE MOUNT

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

200 °C

Yes

VRF3933

ROUND

1

Not Recommended

MICROSEMI CORP

8.44

20 A

类型

RF Power MOSFET

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-CRFM-F4

工作频率

30 MHz

配置

SINGLE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

SOURCE

输出功率

350 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

- 65 C to + 150 C

增益

28 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

VERY HIGH FREQUENCY BAND

功率增益-最小值(Gp)

23 dB