生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-1

表面安装

YES

供应商器件包装

T-1

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Details

N-Channel

30 A

1 kV

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

5.5 mS

1.5 kW

1

30 V

5 V

0.669777 oz

30

Tube

ARF1501

厂商

Microchip Technology

Active

1000 V

1

1 kV

Flange Mount

-

CERAMIC PACKAGE-6

FLATPACK

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

NOT SPECIFIED

175 °C

No

ARF1501

SQUARE

Active

MICROSEMI CORP

1.8

30 A

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

No

ECCN 代码

EAR99

类型

RF Power MOSFET

端子表面处理

TIN LEAD

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

额定电流

30A

最大功率耗散

1.5 kW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

unknown

额定电流

30 A

频率

27.12MHz

引脚数量

6

JESD-30代码

S-CDFP-F6

资历状况

Not Qualified

工作频率

40 MHz

配置

N-Channel

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

1.5

箱体转运

ISOLATED

输出功率

750 W

晶体管应用

AMPLIFIER

上升时间

5 ns

漏源电压 (Vdss)

1 kV

极性/通道类型

N-CHANNEL

工作温度范围

- 55 C to + 175 C

连续放电电流(ID)

30 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

增益

17 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

信道型

N Channel

功率 - 输出

750W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1500 W

噪声图

-

电压-测试

250 V

最高频段

VERY HIGH FREQUENCY BAND

测试电压

250 V

辐射硬化

No

无铅

Lead Free