![VN2410L-G](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-11aa010ito-9503.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
190mA Tj
2.5V 10V
1
1W Tc
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH INPUT IMPEDANCE
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
资历状况
Not Qualified
通道数量
1
电压
240V
元素配置
Single
电流
2A
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
125pF @ 25V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
190mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
240V
反馈上限-最大值 (Crss)
20 pF
高度
5.334mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxNumber of Terminations
-
VN2410L-G
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
190 mA
190mA (Tj)
20 V
1 W
1W (Tc)
3
-
Through Hole
E-Line-3
200 mA
200mA (Ta)
40 V
750 mW
750mW (Ta)
3
-
Through Hole
E-Line-3
230 mA
230mA (Ta)
20 V
700 mW
700mW (Ta)
3
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
230 mA
230mA (Ta)
20 V
700 mW
700mW (Ta)
3
VN2410L-G PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- 冲突矿产声明 :