APT34N80LC3G
TO-264-3
MOSFET FG, MOSFET, 800V, 34A, TO-264, RoHSView in Development Tools Selector
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TO-264-3
安装类型
Through Hole
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-264 [L]
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Details
Through Hole
N-Channel
800 V
34 A
125 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
180 nC
- 55 C
+ 150 C
417 W
Enhancement
1
70 ns
25 ns
0.352740 oz
Tube
APT34N80
34A (Tc)
10V
厂商
Microchip Technology
417W (Tc)
Active
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
150 °C
Yes
APT34N80LC3G
RECTANGULAR
1
Active
MICROSEMI CORP
5.16
TO-264AA
34 A
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e1
无铅代码
Yes
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
附加功能
AVALANCHE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
Single
通道数量
1 Channel
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
145mOhm @ 22A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 2mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4510 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
355 nC @ 10 V
上升时间
15 ns
漏源电压 (Vdss)
800 V
Vgs（最大值）
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-264AA
漏极-源极导通最大电阻
0.145 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
102 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级（Eas）
670 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
-
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm