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TP2510N8-G

型号:

TP2510N8-G

封装:

TO-243AA

数据表:

TP2510

描述:

Trans MOSFET P-CH 100V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • 引脚数

    4

  • 质量

    52.786812mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 480mA Tj

  • 10V

  • 1

  • 1.6W Ta

  • 20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    1.6W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.5 Ω @ 750mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    125pF @ 25V

  • 上升时间

    15ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    480mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -100V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    2.5A

  • 高度

    1.6mm

  • 长度

    4.6mm

  • 宽度

    2.6mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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