规格参数
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
底架
Chassis Mount, Surface Mount
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
65 V
Compliant
CASE 55FW-1, 4 PIN
DISK BUTTON
UNSPECIFIED
NOT SPECIFIED
200 °C
Yes
1075MP
ROUND
Microsemi Corporation
1
Obsolete
MICROSEMI CORP
5.53
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
BIP RF Small Signal
最大功率耗散
250 W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
O-XRDB-F4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65 V
最大集电极电流
6.5 A
增益
8.5 dB
转换频率
1.15 GHz
最大耗散功率(Abs)
250 W
集电极电流-最大值(IC)
6.5 A
最小直流增益（hFE）
20
集电极-发射器电压-最大值
65 V
最高频段
L BAND
集电极-基极电容-最大值
50 pF