![IXZR08N120](https://static.esinoelec.com/200dimg/ixys-cs6014io1-0292.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TO-247-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
1
175°C
1200V
包装
Tube
系列
Z-MOS™
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
TIN SILVER COPPER
额定电流
8A
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
频率
65MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
N-Channel
增益
23dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
DS 击穿电压-最小值
1200V
功率 - 输出
250W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
250W
电压-测试
100V
RoHS状态
RoHS Compliant
IXZR08N120 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :