工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

1

175°C

600V

包装

Tube

系列

Z-MOS™

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

额定电流

18A

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

频率

65MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

N-Channel

增益

23dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

DS 击穿电压-最小值

600V

功率 - 输出

880W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

100V

RoHS状态

RoHS Compliant