底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

24A Tc

10V

1

500W Tc

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

AVALANCHE RATED

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

引脚数量

3

资历状况

Not Qualified

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

500W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

24A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

漏源击穿电压

900V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96A

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

高度

26.16mm

长度

19.96mm

宽度

5.13mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant