![RD28F1602C3T90](https://res.utmel.com/Images/category/Memory Cards, Modules.png)
RD28F1602C3T90
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Description: Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
66
Obsolete
INTEL CORP
BGA
LFBGA, BGA68,8X12,32
90 ns
1048576 words
1000000
85 °C
-25 °C
PLASTIC/EPOXY
LFBGA
BGA68,8X12,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
3 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
SRAM IS ORGANIZED AS 256K X 16
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
66
JESD-30代码
R-PBGA-B66
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL EXTENDED
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.055 mA
组织结构
1MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000035 A
记忆密度
16777216 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
混合内存类型
FLASH+SRAM
长度
10 mm
宽度
8 mm
RD28F1602C3T90 PDF数据手册
- 数据表 :