![IS42VM32800D-12BLI](https://static.esinoelec.com/200image/5b3a7fc08d71bb0c528af59f67919d4e.jpg)
IS42VM32800D-12BLI
-
Synchronous DRAM, 8MX32, 10ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-90
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
90
Obsolete
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
BGA
TFBGA,
10 ns
8388608 words
8000000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
TFBGA
RECTANGULAR
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
1.8 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
90
JESD-30代码
R-PBGA-B90
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8MX32
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
记忆密度
268435456 bit
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
长度
13 mm
宽度
8 mm