![IRLML2803TRPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-iru431l3tr-9052.jpg)
IRLML2803TRPBF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
Micro3
1.2A Ta
4.5V 10V
1
540mW Ta
9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
250mOhm
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
1.2A
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
540mW
接通延迟时间
3.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
250m Ω @ 910mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
85pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 10V
上升时间
4ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1.7 ns
连续放电电流(ID)
1.2A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
1 V
最小击穿电压
30V
高度
1.12mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRLML2803TRPBF
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1.2 A
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-1.3 A
1.3A (Ta)
-2 V
25 V
500 mW
500mW (Ta)
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
900 mA
900mA (Ta)
-800 mV
20 V
500 mW
500mW (Ta)
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Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-760 mA
760mA (Ta)
-1 V
20 V
540 mW
540mW (Ta)
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