IRLML5103TRPBF
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
Micro(SOT23)
760mA Ta
4.5V 10V
1
540mW Ta
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
600mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
-610mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
540mW
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
600m Ω @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
75pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.1nC @ 10V
上升时间
8.2ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
16 ns
连续放电电流(ID)
-760mA
阈值电压
-1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.76A
漏源击穿电压
-30V
双电源电压
-30V
栅源电压
-1 V
最小击穿电压
30V
高度
1.016mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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1.6A (Ta)
-2.6 V
20 V
-
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Surface Mount
SOT-23
1.2 A
-
-
20 V
540 mW
540 mW
IRLML5103TRPBF PDF数据手册
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