规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1.2kV
1
600V, 20A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN OVER NICKEL
最大功率耗散
179W
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
IRG7PH35
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
179W
晶体管应用
POWER CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.2V
最大集电极电流
50A
JEDEC-95代码
TO-247AD
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
400 ns
IGBT类型
Trench
闸门收费
130nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
-/160ns
开关能量
620μJ (off)
栅极-发射极Thr电压-最大值
6V
最大下降时间 (tf)
105ns
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max)Max Collector CurrentMax Power DissipationCollector Emitter Saturation VoltageElement Configuration
-
IRG7PH35UD1-EP
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1200V
50 A
385 W
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TO-247-3
1.2 kV
1200V
50 A
375 W
1.85 V
Single
IRG7PH35UD1-EP PDF数据手册
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