规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
93A Tc
10V
1
520W Tc
57 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
17.5MOhm
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
520W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
36 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
17.5m Ω @ 56A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10880pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
270nC @ 10V
上升时间
160ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
110 ns
连续放电电流(ID)
93A
阈值电压
5V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
250V
双电源电压
250V
雪崩能量等级（Eas）
770 mJ
栅源电压
5 V
高度
20.7mm
长度
15.87mm
宽度
5.3086mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFP4768PBF
Through Hole
TO-247-3
93 A
93A (Tc)
5 V
20 V
520 W
520W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
130 A
130A (Tc)
5 V
30 V
520 W
520W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
94 A
94A (Tc)
5 V
30 V
580 W
580W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
23 A
23A (Tc)
4 V
20 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
38 A
38A (Tc)
4 V
20 V
280 W
280W (Tc)
IRFP4768PBF PDF数据手册
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