规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
130A Tc
10V
1
520W Tc
64 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
9.7MOhm
峰值回流焊温度（摄氏度）
250
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
520W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
41 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.7m Ω @ 81A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10720pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
241nC @ 10V
上升时间
105ns
Vgs（最大值）
±30V
下降时间（典型值）
74 ns
连续放电电流(ID)
130A
阈值电压
5V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
200V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
520A
双电源电压
200V
雪崩能量等级（Eas）
760 mJ
最大结点温度（Tj）
175°C
栅源电压
5 V
高度
24.99mm
长度
15.87mm
宽度
5.3086mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
IRFP4668PBF
Through Hole
TO-247-3
130 A
130A (Tc)
5 V
30 V
520 W
520W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
94 A
94A (Tc)
5 V
30 V
580 W
580W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
171 A
171A (Tc)
5 V
30 V
517 W
517W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
93 A
93A (Tc)
5 V
20 V
520 W
520W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
4 V
20 V
150 W
150W (Tc)
IRFP4668PBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :