IRF8513PBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
8A 11A
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
15.5MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2.4W
基本部件号
IRF8513PBF
元素配置
Dual
功率耗散
2.4W
功率 - 最大
1.5W 2.4W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
15.5mOhm @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
766pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
8A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
输入电容
766pF
恢复时间
23 ns
场效应管特性
Logic Level Gate
漏源电阻
22.2mOhm
最大rds
15.5 mΩ
栅源电压
1.8 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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-
IRF8513PBF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
8 A
8A, 11A
1.8 V
15.5 mΩ
20 V
2.4 W
2.4 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
9.7 A
-
1.8 V
-
20 V
2 W
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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13 A
13A (Ta)
1.8 V
-
20 V
-
3 W
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
-
9.7A
-
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Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
11 A
11A (Ta)
1.8 V
-
20 V
-
2.5 W
IRF8513PBF PDF数据手册
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