![IRF7854PBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/infineontechnologies-1edi05i12afxuma1-8943.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
10A Ta
10V
1
2.5W Ta
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
13.4MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大输出电流
2.5A
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
9.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.9V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1620pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
8.5ns
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8.6 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
4.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
80V
双电源电压
80V
输入电容
1.62nF
恢复时间
65 ns
漏源电阻
13.4mOhm
最大rds
13.4 mΩ
栅源电压
4.9 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF7854PBF
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
80V
10 A
10A (Ta)
4.9 V
13.4 mΩ
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
9.3 A
9.3A (Tc)
4 V
-
20 V
2.5 W
2.5W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
12 mA
12A (Tc)
4 V
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
8.9 A
8.9A (Ta)
4 V
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
12 A
12A (Ta)
4.9 V
-
20 V
97 mW
2.5W (Ta)
IRF7854PBF PDF数据手册
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