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IRF7493TRPBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
9.3A Tc
10V
1
2.5W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2003
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
15MOhm
电压 - 额定直流
80V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
9.3A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
8.3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
15m Ω @ 5.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1510pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
53nC @ 10V
上升时间
7.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
9.3A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
80V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
74A
双电源电压
80V
恢复时间
56 ns
栅源电压
4 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
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IRF7493TRPBF
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
IRF7493TRPBF PDF数据手册
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