IRF7853PBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
8.3A Ta
10V
1
2.5W Ta
26 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
18MOhm
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 8.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.9V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1640pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
39nC @ 10V
上升时间
6.6ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
6 ns
连续放电电流(ID)
8.3A
阈值电压
4.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
双电源电压
100V
恢复时间
68 ns
栅源电压
4.9 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF7853PBF PDF数据手册
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