IRF6729MTR1PBF
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
引脚数
7
供应商器件包装
DIRECTFET™ MX
31A Ta 190A Tc
4.5V 10V
1
2.8W Ta 104W Tc
20 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
元素配置
Single
功率耗散
2.8W
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8mOhm @ 31A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6030pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
63nC @ 4.5V
上升时间
37ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
15 ns
连续放电电流(ID)
31A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
6.03nF
漏源电阻
2.7mOhm
最大rds
1.8 mΩ
栅源电压
1.8 V
高度
506μm
长度
6.35mm
宽度
5.05mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
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IRF6729MTR1PBF
Surface Mount
30V
31 A
31A (Ta), 190A (Tc)
1.8 V
1.8 mΩ
20 V
2.8 W
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Surface Mount
-
17.5 A
195A (Tc)
1.55 V
-
22 V
80 W
114W (Tc)
Surface Mount
-
32 A
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
-
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Surface Mount
-
32 mA
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
-
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Surface Mount
30V
32 A
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
1.7 mΩ
20 V
2.8 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
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