
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
195A Tc
4.5V 10V
1
114W Tc
65.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ V
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.75mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STL150
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
80W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.75m Ω @ 17.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 4.5V
上升时间
30.8ns
Vgs(最大值)
±22V
下降时间(典型值)
47.8 ns
连续放电电流(ID)
17.5A
阈值电压
1.55V
栅极至源极电压(Vgs)
22V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
35A
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
高度
950μm
长度
5mm
宽度
6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STL150N3LLH5
Surface Mount
8-PowerVDFN
17.5 A
195A (Tc)
1.55 V
22 V
80 W
114W (Tc)
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Surface Mount
DirectFET? Isometric MT
170 mA
30A (Ta), 170A (Tc)
1.64 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
160 A
21A (Ta), 160A (Tc)
2.5 V
20 V
160 W
160W (Tc)
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DirectFET? Isometric MX
32 A
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric MX
170 A
28A (Ta), 170A (Tc)
1.8 V
20 V
100 W
2.8W (Ta), 100W (Tc)
STL150N3LLH5 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :