IRF6618TRPBF
DirectFET™ Isometric MT
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MT
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
30A Ta 170A Tc
4.5V 10V
1
2.8W Ta 89W Tc
27 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2007
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.2MOhm
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 额定直流
30V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
30A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-XBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
89W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.2m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5640pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
65nC @ 4.5V
上升时间
71ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
8.1 ns
连续放电电流(ID)
170mA
阈值电压
1.64V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
29A
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
高度
508μm
长度
6.35mm
宽度
5.0546mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF6618TRPBF
Surface Mount
170 mA
30A (Ta), 170A (Tc)
1.64 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
No
Surface Mount
17.5 A
195A (Tc)
1.55 V
22 V
80 W
114W (Tc)
No
Surface Mount
32 A
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
No
Surface Mount
170 A
28A (Ta), 170A (Tc)
1.8 V
20 V
100 W
2.8W (Ta), 100W (Tc)
No
Surface Mount
32 mA
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
No
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