IRF6635TRPBF
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
32A Ta 180A Tc
4.5V 10V
1
2.8W Ta 89W Tc
33 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.8MOhm
电压 - 额定直流
30V
端子位置
BOTTOM
额定电流
32A
JESD-30代码
R-XBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
89W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8m Ω @ 32A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5970pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
71nC @ 4.5V
上升时间
13ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
8.3 ns
连续放电电流(ID)
32mA
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级（Eas）
200 mJ
栅源电压
1.8 V
高度
506μm
长度
6.35mm
宽度
5.05mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRadiation Hardening
IRF6635TRPBF
Surface Mount
32 mA
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
No
Surface Mount
17.5 A
195A (Tc)
1.55 V
22 V
80 W
114W (Tc)
No
Surface Mount
170 mA
30A (Ta), 170A (Tc)
1.64 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
No
Surface Mount
32 A
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
No
Surface Mount
170 A
28A (Ta), 170A (Tc)
1.8 V
20 V
100 W
2.8W (Ta), 100W (Tc)
No
IRF6635TRPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 其他 :
- 冲突矿产声明 :