工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

38A Ta 200A Tc

4.5V 10V

1

2.8W Ta 96W Tc

19 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2012

JESD-609代码

e1

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

96W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25m Ω @ 38A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6750pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69nC @ 4.5V

上升时间

37ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

38A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

220A

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

栅源电压

1.8 V

高度

530μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant