IRF6898MTRPBF
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
35A Ta 213A Tc
4.5V 10V
1
2.1W Ta 78W Tc
24 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2012
零件状态
Last Time Buy
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
JESD-30代码
R-XBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
78W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5435pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62nC @ 4.5V
上升时间
46ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
19 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280A
场效应管特性
Schottky Diode (Body)
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF6898MTRPBF
Surface Mount
DirectFET? Isometric MX
35 A
35A (Ta), 213A (Tc)
1.6 V
16 V
78 W
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Surface Mount
DirectFET? Isometric MX
39 A
39A (Ta), 180A (Tc)
1.9 V
20 V
78 W
3.6W (Ta), 78W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
160 A
21A (Ta), 160A (Tc)
2.5 V
20 V
160 W
160W (Tc)
Surface Mount
DirectFET? Isometric MX
38 A
38A (Ta), 200A (Tc)
1.8 V
20 V
96 W
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Surface Mount
DirectFET? Isometric MX
34 A
34A (Ta), 180A (Tc)
1.9 V
20 V
2.8 W
2.8W (Ta), 78W (Tc)
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