IRF6716MTRPBF
DirectFET™ Isometric MX
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
1
3.6W Ta 78W Tc
25 ns
4.5V 10V
39A Ta 180A Tc
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e1
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子位置
BOTTOM
JESD-30代码
R-XBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
78W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5150pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 4.5V
上升时间
105ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
41 ns
连续放电电流(ID)
39A
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
180A
漏极-源极导通最大电阻
0.0016Ohm
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320A
雪崩能量等级（Eas）
330 mJ
宽度
5.05mm
长度
6.35mm
高度
506μm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRadiation Hardening
IRF6716MTRPBF
Surface Mount
39 A
39A (Ta), 180A (Tc)
1.9 V
20 V
78 W
3.6W (Ta), 78W (Tc)
No
Surface Mount
17.5 A
195A (Tc)
1.55 V
22 V
80 W
114W (Tc)
No
Surface Mount
32 A
32A (Ta), 180A (Tc)
1.8 V
20 V
89 W
2.8W (Ta), 89W (Tc)
No
Surface Mount
35 A
35A (Ta), 213A (Tc)
1.6 V
16 V
78 W
2.1W (Ta), 78W (Tc)
No
Surface Mount
34 A
34A (Ta), 180A (Tc)
1.9 V
20 V
2.8 W
2.8W (Ta), 78W (Tc)
No
IRF6716MTRPBF PDF数据手册
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