IRF5801TRPBF
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
2W Ta
8.8 ns
1
10V
600mA Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.2Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
200V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
600mA
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.2 Ω @ 360mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
88pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.9nC @ 10V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
600mA
阈值电压
5.5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
200V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.8A
双电源电压
200V
雪崩能量等级(Eas)
9.9 mJ
栅源电压
5.5 V
宽度
1.7mm
长度
2.9972mm
高度
990.6μm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
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