![IRF5802TRPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/cel-upc2726te3-2144.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
900mA Ta
10V
1
2W Ta
7.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.2Ohm
电压 - 额定直流
150V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
900mA
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2 Ω @ 540mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
88pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.8nC @ 10V
上升时间
1.6ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
9.2 ns
连续放电电流(ID)
900mA
阈值电压
5.5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.9A
漏源击穿电压
150V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
7A
双电源电压
150V
雪崩能量等级(Eas)
9.5 mJ
栅源电压
5.5 V
高度
900μm
长度
2.9972mm
宽度
1.4986mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF5802TRPBF
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
900 mA
900mA (Ta)
5.5 V
30 V
2 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
600 mA
600mA (Ta)
5.5 V
30 V
2 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
1.4 A
1.4A (Ta)
2.6 V
20 V
1.6 W
1.6W (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6
8.3 A
8.3A (Ta)
-
12 V
2 W
2W (Ta)
-
Surface Mount
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
-460 mA
460mA
-860 mV
8 V
900 mW
-
IRF5802TRPBF PDF数据手册
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