规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
75A Tc
10V
1
300W Tc
93 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2007
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.3MOhm
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
130W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
150 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.3m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7960pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
290nC @ 10V
上升时间
20ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
78 ns
连续放电电流(ID)
75A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
890A
雪崩能量等级（Eas）
940 mJ
高度
9.017mm
长度
10.668mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
IRF3805PBF
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
130 W
300W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
80 A
17A (Ta), 80A (Tc)
4 V
20 V
310 W
310W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
270 A
75A (Tc)
4 V
20 V
330 W
300W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
330 W
330W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
80 A
23A (Ta), 80A (Tc)
2.8 V
20 V
300 W
300W (Tc)
IRF3805PBF PDF数据手册
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- PCN 组装/原产地 :
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