规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1
68 ns
330W Tc
10V
75A Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2002
系列
HEXFET®
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.7Ohm
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
55V
额定电流
75A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
330W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7m Ω @ 104A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5110pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
230nC @ 10V
上升时间
120ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
110 ns
连续放电电流(ID)
75A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
700A
双电源电压
55V
恢复时间
120 ns
栅源电压
4 V
长度
10.668mm
宽度
4.826mm
高度
16.51mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
IRF2805PBF
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
330 W
330W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
130 W
300W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
80 A
18A (Ta), 80A (Tc)
4 V
20 V
245 W
245W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
230 W
230W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
190 A
180A (Tc)
4 V
20 V
220 W
200W (Tc)
IRF2805PBF PDF数据手册
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