IRF2804PBF
TO-220-3
Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 280.6 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
75A Tc
10V
1
300W Tc
130 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.3Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
附加功能
AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
电压 - 额定直流
40V
额定电流
75A
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
330W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.3m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6450pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
240nC @ 10V
上升时间
120ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
130 ns
连续放电电流(ID)
270A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
双电源电压
40V
雪崩能量等级（Eas）
540 mJ
恢复时间
84 ns
栅源电压
4 V
高度
9.017mm
长度
10.6426mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF2804PBF
Through Hole
TO-220-3
270 A
75A (Tc)
4 V
20 V
330 W
300W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
190 A
180A (Tc)
4 V
20 V
220 W
200W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
80 A
23A (Ta), 80A (Tc)
2.8 V
20 V
300 W
300W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
90 A
90A (Tc)
1 V
20 V
3.1 W
3.1W (Ta), 125W (Tc)
IRF2804PBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :