工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

40 ns

170W Tc

1

10V

75A Tc

已出版

2003

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

9.4Ohm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

75V

额定电流

75A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

170W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.4m Ω @ 53A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3270pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

79ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

75A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

双电源电压

75V

栅源电压

4 V

宽度

4.826mm

长度

10.668mm

高度

9.017mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free