规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
10V
1
140W Tc
43 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2008
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
Through Hole
ECCN 代码
EAR99
电阻
9MOhm
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
140W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 46A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3070pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
84nC @ 10V
上升时间
110ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
96 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
双电源电压
75V
恢复时间
50 ns
栅源电压
4 V
高度
9.017mm
长度
10.6426mm
宽度
4.82mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFB3607PBF
Through Hole
TO-220-3
80 A
80A (Tc)
4 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
170 W
170W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
60 A
60A (Tc)
-
20 V
145 W
145W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
79 A
79A (Tc)
4 V
20 V
110 W
110W (Tc)
IRFB3607PBF PDF数据手册
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