规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
79A Tc
10V
1
110W Tc
55 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2002
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.4MOhm
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.4m Ω @ 47A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2290pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
69nC @ 10V
上升时间
35ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
46 ns
连续放电电流(ID)
79A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
雪崩能量等级（Eas）
88 mJ
恢复时间
39 ns
高度
9.017mm
长度
10.668mm
宽度
4.826mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
IRF1018EPBF
Through Hole
TO-220-3
79 A
79A (Tc)
4 V
20 V
110 W
110W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
70 A
70A (Tc)
4 V
20 V
150 W
150W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
80 A
80A (Tc)
4 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
4 V
20 V
140 W
140W (Tc)
Through Hole
TO-220-3
75 A
75A (Tc)
3.7 V
20 V
99 W
99W (Tc)
IRF1018EPBF PDF数据手册
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