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IRF1503SPBF

型号:

IRF1503SPBF

封装:

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

描述:

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 75A Tc

  • 10V

  • 1

  • 200W Tc

  • 59 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    3.3MOhm

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 额定电流

    75A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    200W

  • 接通延迟时间

    17 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.3m Ω @ 140A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5730pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    200nC @ 10V

  • 上升时间

    130ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 正向电压

    1.3V

  • 下降时间(典型值)

    48 ns

  • 连续放电电流(ID)

    75A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 栅源电压

    4 V

  • 高度

    4.826mm

  • 长度

    10.668mm

  • 宽度

    9.65mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
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    Package / Case
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    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    Radiation Hardening
  • IRF1503SPBF

    IRF1503SPBF

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    75 A

    75A (Tc)

    20 V

    200 W

    200W (Tc)

    No

  • STB155N3LH6

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    80 A

    80A (Tc)

    20 V

    300 W

    300W (Tc)

    No

  • STB80NF03L-04T4

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    80 A

    80A (Tc)

    20 V

    70 W

    70W (Tc)

    No

  • STB95N3LLH6

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    80 A

    80A (Tc)

    20 V

    110 W

    110W (Tc)

    No