规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
6A Tc
10V
1
62.5W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
62.5W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
660m Ω @ 2.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 200μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
615pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
700V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
10 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6A
漏极-源极导通最大电阻
0.66Ohm
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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IPW65R660CFDFKSA1
Through Hole
TO-247-3
700V
6 A
6A (Tc)
20 V
62.5 W
62.5W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
650V
20 A
20A (Tc)
25 V
-
170W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
-
22.4 A
22.4A (Tc)
20 V
195.3 W
195.3W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
650V
13 A
13A (Tc)
20 V
72 W
72W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
-
11.4 A
11.4A (Tc)
20 V
-
104.2W (Tc)
IPW65R660CFDFKSA1 PDF数据手册
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