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STW28N65M2

型号:

STW28N65M2

封装:

TO-247-3

数据表:

STx28N65M2

描述:

MOSFET N-CH 650V 20A TO247

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 20A Tc

  • 10V

  • 1

  • 170W Tc

  • 59 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ M2

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 基本部件号

    STW28N

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 接通延迟时间

    13.4 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    180m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1440pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    35nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.18Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    80A

  • DS 击穿电压-最小值

    650V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    760 mJ

  • 高度

    20.15mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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