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IPW65R045C7FKSA1

型号:

IPW65R045C7FKSA1

封装:

TO-247-3

数据表:

IPW65R045C7

描述:

MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 46A Tc

  • 10V

  • 1

  • 227W Tc

  • 82 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    CoolMOS™ C7

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    227W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    45m Ω @ 24.9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1.25mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4340pF @ 400V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    93nC @ 10V

  • 上升时间

    14ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    46A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大双电源电压

    650V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.045Ohm

  • 漏源击穿电压

    650V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    249 mJ

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    25.4mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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