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BSC0911NDATMA1

型号:

BSC0911NDATMA1

封装:

8-PowerTDFN

数据表:

BSC0911ND

描述:

MOSFET LV POWER MOS

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 25 ns

  • 18A 30A

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    1W

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2.5W

  • 箱体转运

    DRAIN SOURCE

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.2m Ω @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1600pF @ 12V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    12nC @ 4.5V

  • 上升时间

    5.4ns

  • 下降时间(典型值)

    4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    30A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate, 4.5V Drive

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    RoHS Status
  • BSC0911NDATMA1

    BSC0911NDATMA1

    Surface Mount

    8-PowerTDFN

    30 A

    18A, 30A

    20 V

    1 W

    2.5 W

    ROHS3 Compliant

  • BSC032NE2LSATMA1

    Surface Mount

    8-PowerTDFN

    23 A

    23A (Ta), 49A (Tc)

    20 V

    -

    2.5 W

    ROHS3 Compliant

  • FDMS7572S

    Surface Mount

    PowerPAK? SO-8

    32 A

    50A (Tc)

    20 V

    -

    -

    ROHS3 Compliant

  • SIR862DP-T1-GE3

    Surface Mount

    8-PowerTDFN

    22 A

    22A (Ta), 84A (Tc)

    20 V

    -

    2.5 W

    ROHS3 Compliant